01、一种硫化镉量子点溶液的制备方法

　　[专利简介]：本发明公开了一种硫化镉量子点溶液的制备方法，其特征在于，将气体单向透过的透析膜制成气袋置于可溶性镉盐溶液中，向气袋内通入高纯H2S气体，保持气袋内部气相压强比外部液相压强高5kpa～15kpa，在10℃～60℃下进行反应，反应生成硫化镉量子点溶液。本发明基于膜反应法制备硫化镉量子点溶液，硫化镉量子点溶液可制成硫化镉光电粉体材料或液体硫化镉量子点试剂，方法简单易操作、条件温和、步骤少、成本低、环境友好，制得的硫化镉量子点粒径分布窄、产品纯度高、量子效率高，荧光或光电性能良好。

　　002、一种低温两相合成法制备硫化镉量子点的方法

　　[专利简介]：本发明公开了一种低温两相合成法制备硫化镉量子点的方法。将镉源在室温下溶于油胺，加入油酸稀释，制得镉溶液，即为油相；镉源为氯化镉、硫酸镉和硝酸镉中的一种，油胺与油酸的体积比为1:4；将升华硫粉在室温条件下超声溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液或者将含硫化合物直接溶解于含有三辛基膦的二甲基亚砜中制得硫溶液；升华硫粉或含硫化合物为硫源，含硫化合物为硫脲或硫化钠，三辛基膦为包裹剂，硫源与包裹剂的摩尔比为2:1；将镉溶液与硫溶液混合，在70度水浴条件下反应30分钟，在油相中有硫化镉量子点生成。本发明方法原料来源广，反应温度低，制得的硫化镉量子点粒径均匀，尺寸分布较窄，吸光峰位置在396~445纳米之间可调，荧光较强。

　　003、一种硫化镉量子点的制备方法

　　[专利简介]：本发明的一种硫化镉量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种全新方法制备尺寸可调，单分散性良好的半导体量子点。本发明用羧酸镉作为镉源，用(TMS)2S作为硫源，合成一定尺寸的CdS半导体纳米簇，以此作为合成CdS量子点的反应前体，将配体与非配位型溶剂混合加热，注入制得的CdS纳米簇，得到CdS量子点。本发明的量子点合成方法具有创新性，并且操作简便，反应快速，可进行大量合成，制得的量子点尺寸可调控，具有优良的单分散性和稳定性。

　　004、一种尺寸可控的硫化镉量子点的制备方法

　　[专利简介]：本发明涉及一种尺寸可控的硫化镉量子点的制备方法，该方法包括以下步骤：⑴将四水硝酸镉和升华硫加入到油胺溶液中，混合均匀后，得到混合溶液；将所述混合溶液在室温下搅拌并通入惰性气体氩气，随后在惰性气体氩气的保护下加热，并在该温度下保温，即得黄色透明的混合溶液；所述黄色透明的混合溶液在惰性气体氩气的保护下加热，然后在该温度下保温后自然冷却至室温，得到冷却溶液；⑵所述冷却溶液中加无水乙醇有黄色沉淀析出，经超声离心后得到黄色沉淀物和反应母液；所述沉淀物用无水乙醇和正己烷的混合液洗涤离心，经真空干燥至恒重，即得到不同尺寸大小的黄色粉末状硫化镉量子点。本发明方法简单、成本较低、环境污染小。

　　005、一种发光可调的无配体硫化镉半导体量子点及其制备方法

　　[专利简介]：本发明公开了一种发光可调无配体硫化镉量子点的制备方法，该量子点不需要任何有机分子作为配体，发光波长可随合成条件精确调节，且稳定性好，可以有效地与有机材料杂化，克服杂化过程中的相分离现象。本发明的发光可调无配体硫化镉半导体量子点，其选择醋酸镉、丙烯酸镉或硬脂酸镉为镉源，硫脲或硫化钠为硫源，在有机溶剂中、在无任何有机分子作包覆剂条件下制备发光可调无配体硫化镉半导体量子点。

　　006、碲化镉/硫化镉/硫化锌量子点的合成方法

　　007、电子束辐照快速合成硫化镉量子点粉体的方法

　　008、尺寸可调的硫化镉量子点的制备方法

　　009、硒化镉/硫化镉/硫化锌核壳量子点的制备方法

　　010、一种近红外发光碲硫化镉量子点的制备方法

　　011、核/壳型碲化镉/硫化镉水溶性量子点的合成方法

　　012、硫化镉半导体量子点的制备方法

　　013、硫化镉裸量子点及其制备方法